以 NAND 為基礎的 Flash 存在著兩種不同的作業模式,最早被開發出來的是 MLC 由著名的 英代爾 Intel在1997年9月開發成功。MLC 可以一次將兩個位元的資訊存入一個 Floating Gate之中,Floating Gate 就是快閃記憶體中用於存放電荷的部分。透過不同的電荷數量,MLC 能夠呈現出4種不同的存儲狀態,每種狀態代表兩個二進位數字值(00、01、10與11),由於這個特性稱為 Multi Level Cell,也就是 MLC 的簡稱。
 

項目

Samsung(SLC 

Toshiba(MLC

使用壽命

存取壽命長

可存取1萬次

寫入速度

9MB/s 以上

1.5MB/s 以上

工作電壓

3.3V/1.8V

3.3V

封裝技術

可配合其他技術 設計一體成型

塑膠組裝

        MLC 的 Floating Gate 需要特殊的材質與製程,也因此一直到了2000年初韓國 Samsung 公司才開發出商品化的 SLC 256MB 顆粒。相較於 MLC,SLC 一次只儲存一組位元,也就是(0、1),不僅程序簡單的多,效能、速度和壽命都有很大的進步。SLC 採用 0.21μ製程,到了2002年初 Samsung 已經有能力製作出 1GB / 0.13μ製程的產品。不過,MLC 也一直在跟著演進,特別是其技術成熟、單價較低,2002年中 Toshiba 推出了同為 1GB / 0.16 μ製程的產品,也同時吸引了 Samsung 的注意,並開始研究試產 MLC 的可能性。截至 2004年為止,SLC 的技術仍領先 MLC 6~9個月,2GB / 0.09 μ製程的 SLC 已經接近商品化的階段;MLC 則也有 2GB/ 0.13μ製程的產品對應。整體來說,SLC 與 MLC 的對比,也大致如上表所示,存在著性能上的差距,但也因為如此,兩者的價格也不相同,讓市場機制去自由決定。

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